HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

時間：2016-12-28作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：59

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  詞條說明

• HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

  HGTG5N120BND產(chǎn)品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 設(shè)計。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低傳導(dǎo)損耗又至關(guān)重要的高壓開關(guān)應(yīng)用，如：UPS、光伏逆變器、電機(jī)控制以及電源。 HGTG5N120BND產(chǎn)品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低飽和電壓：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A 典型下降時間。. . . .

• STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管

  STW3N150 型號 STW3N150 品牌 STW3N150 封裝 STW3N150 批號 STW3N150 備注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原裝**現(xiàn)貨 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝 STW3N150

• STP11NK40ZFP/P11NK40ZFP/400V/10/30W/功率MOSFET

  STP11NK40ZFP產(chǎn)品技術(shù)參數(shù) 數(shù)據(jù)列表 STP11NK40ZFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝 50 包裝 管件 類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單 系列 SuperMESH?? 規(guī)格 FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能 標(biāo)準(zhǔn) 漏源較電壓（Vdss） 400V 電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時） 9A（Tc） 不同 Id，Vgs 時的 R

• FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET

  FQB5N90概述 該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種**的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻， 并提供**的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 FQB5N90特性 5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（較大值）@VGS = 10 V, I