三相固態(tài)繼電器與三只單項(xiàng)固態(tài)繼電器選擇？

時(shí)間：2015-09-15作者：武漢武整機(jī)電有限公司瀏覽：96

武漢武整機(jī)電有限公司專注于可控硅,二極管,整流管,晶閘管,可控硅模塊,二極管模塊等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 為什么選擇光伏專用防反二極管模塊

  ?? 光伏防反二極管需要以下特點(diǎn)： ?? 1.?高的方向電壓，通常需要**過(guò)1500V????因?yàn)楣夥嚵休^高的時(shí)候會(huì)達(dá)到甚至**過(guò)1000V? ?? 2.?低的功耗，即導(dǎo)通阻抗（通態(tài)阻抗越小越好，通常需要小于0.8~0.9V）???&nbs

• 一體式儀器與分體式儀器的局面

  一體式儀器與分體式儀器的局面 一體式儀器顧名思義就是將所有功能模塊集成在一起組合成的儀器，目前電測(cè)領(lǐng)域上用的較多見(jiàn)的較多的是一體式儀器，一體式儀器有它使用攜帶方便的優(yōu)勢(shì)，才能使得其廣泛使用，但是這種使用攜帶方便的一體式儀器早晚會(huì)被淘汰，取而代之將是分體式儀器，為什么呢? 何為分體式儀器，分體式儀器是將儀器各個(gè)部分的功能分別區(qū)分開(kāi)來(lái)，每個(gè)部分負(fù)責(zé)一部分功能，最后作為一個(gè)整體來(lái)顯示較終的結(jié)果，對(duì)現(xiàn)場(chǎng)

• 為什么可控硅容易擊穿？

  為什么可控硅容易擊穿？ 很多企業(yè)都在使用可控硅，可是有些企業(yè)的可控硅特別容易燒壞呢？下面就由我為大家一一介紹可控硅被擊穿的各種原因： 1、過(guò)壓擊穿： 過(guò)壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對(duì)過(guò)壓的承受能力幾乎是沒(méi)有時(shí)間的，即使在幾毫秒的短時(shí)間內(nèi)過(guò)壓也會(huì)被擊穿的，因此實(shí)際應(yīng)用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無(wú)規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過(guò)壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿，請(qǐng)檢查一

• 快恢復(fù)二極管的性能特點(diǎn)

  ????? 反向恢復(fù)時(shí)間、 ????? 反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為較大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時(shí)，正