詞條
詞條說(shuō)明
晶體管的分類(lèi)及主要參數(shù)應(yīng)用晶體管的主要參數(shù)有直流參數(shù)、交流參數(shù)、限參數(shù)三類(lèi)。它們是選用晶體管的依據(jù)。晶體管的分類(lèi),晶體管有多種類(lèi)型:晶體管按結(jié)構(gòu)可分為NPN型和PNP型:按所用的半導(dǎo)體材料可分為硅管和鍺管:按功率可分為大功率管、中功率管、小功率管:按頻率特性可分為低頻管、中頻管、高頻管和頻管;按輸人方式不同可分為普通晶體管、光敏晶體管、磁敏晶體管;按封裝內(nèi)電路結(jié)構(gòu)分為普通晶體管、帶阻晶體管、達(dá)
利用可調(diào)并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431集成電路可組成簡(jiǎn)單的充電器。工作原理:電路如附圖所示。市電經(jīng)電容降壓、橋式整流、電容濾波,輸出直流電壓并通過(guò)D5向兩節(jié)鎳錫電池充電。充電電流的大小和電壓的高低,由調(diào)節(jié)電位器W所決定。傳輸文件進(jìn)行 [薄膜開(kāi)關(guān)] 打樣TL431穩(wěn)定性高,有良好的開(kāi)關(guān)特性,能輸出較大的電流。其基準(zhǔn)端REF與陽(yáng)端A固定電壓為2.5V,當(dāng)這兩端的電壓達(dá)到了2.5V(電池電壓經(jīng)分壓電路達(dá)到2.5V
分析肖特基二管的優(yōu)勢(shì)與結(jié)構(gòu)應(yīng)用
分析肖特基二管的優(yōu)勢(shì)與結(jié)構(gòu)應(yīng)用?一、肖特基二管具有的優(yōu)勢(shì)肖特基二管MBR系列快的開(kāi)關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時(shí)間使它們非常適合高頻應(yīng)用,并能大程度降低開(kāi)關(guān)損耗。肖特基二管與普通的PN結(jié)二管不同。是使用N型半導(dǎo)體材料與金屬在一起結(jié)合形成金屬一半導(dǎo)體結(jié)。肖特基二管比普通二管有正向壓降低、反向電荷恢復(fù)時(shí)間短(10ns以內(nèi))等優(yōu)點(diǎn)。二、肖特基二管結(jié)構(gòu)肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二管有很大區(qū)別,
低壓電源芯片LM358低壓電源芯片LM358是一種雙運(yùn)算放大器芯片,它具有高輸入阻抗,低噪聲和低偏置等特點(diǎn),因此在許多電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。該芯片采用3針DIP和SOIC封裝形式,使用簡(jiǎn)單方便,性能穩(wěn)定可靠。LM358芯片內(nèi)部集成了兩個(gè)獨(dú)立的、同相、電壓放大器。這兩個(gè)放大器可以單獨(dú)使用,也可以連接在一起使用,以實(shí)現(xiàn)更高的放大倍數(shù)。芯片的輸出電壓范圍為±10V,具有較高的精度和穩(wěn)定性,適合于各種
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