失效分析原理

時間：2020-03-24作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：139

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  詞條說明

• 半導(dǎo)體芯片失效分析

  半導(dǎo)體芯片失效分析 芯片在設(shè)計生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實驗室經(jīng)驗，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: 檢測內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測），屬于無損檢查: X-Ra

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標 一、技術(shù)指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• x-ray檢測內(nèi)容

  X射線(X-ray)檢測 X射線(X-ray)檢測儀是在不損壞被檢物品的前提下使用低能量X 光，快速檢測出被檢物。 利用高電壓撞擊靶材產(chǎn)生X射線穿透來檢測電子元器件、半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)構(gòu)造品質(zhì)、以及SMT各類型焊點焊接質(zhì)量等[1] 。 型號:XD7500NT 參考標準:《IPC-A-610E電子組裝件的驗收標準》、《GB/T 17359-1998電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法通則》

• 芯片失效分析常用方法

  一：X-RAY檢查 1，X-RAY含義： X-RAY射線又稱倫琴射線，一種波長很短的電磁輻射，由德國物理學(xué)家倫琴在1895年發(fā)現(xiàn)。一般指電子能量發(fā)生很大變化時放出的短波輻射，能透過許多普通光不能透過的固態(tài)物質(zhì)。利用可靠性分析室里的X-RAY分析儀，可檢查產(chǎn)品的金絲情況和樹脂體內(nèi)氣孔情況，以及芯片下面導(dǎo)電膠內(nèi)的氣泡，導(dǎo)電膠的分布范圍情況。 2，X-RAY檢查原則 不良情況 原因或責(zé)任者 球脫 組裝