芯片分析方法

時(shí)間：2020-04-01作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：148

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 微量元素含量測(cè)試方法

  微量元素含量測(cè)試方法 近年來(lái)，元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*，常見(jiàn)的測(cè)試儀器有原子反射光譜法（AES）、原子吸收光譜法（AAS）、X射線熒光光譜法（XRF）、電感耦合等離子體原子**光譜（ICP-AES）和質(zhì)譜（ICP-MS）等，由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性，如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子**光譜（AES） 原子**光譜

• 失效分析實(shí)驗(yàn)室選擇

  失效分析技術(shù)，失效分析實(shí)驗(yàn)室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過(guò)程。此過(guò)程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí)，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí)，常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品

• 失效分析技術(shù)總結(jié)

  1.外觀檢查 外觀檢查就是目測(cè)或利用一些簡(jiǎn)單儀器，如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查PCB的外觀，尋找失效的部位和相關(guān)的物證，主要的作用就是失效定位和初步判斷PCB的失效模式。外觀檢查主要檢查PCB的污染、腐蝕、爆板的位置、電路布線以及失效的規(guī)律性、如是批次的或是個(gè)別，是不是總是集中在某個(gè)區(qū)域等等。另外，有許多PCB的失效是在組裝成PCBA后才發(fā)現(xiàn)，是不是組裝工藝過(guò)程以及過(guò)程所用材料的影

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過(guò)，同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí)，對(duì)微小電流進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)激光掃到某個(gè)位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記，也就是說(shuō)這個(gè)位置即為