詞條
詞條說(shuō)明
整流橋是橋式整流電路的實(shí)物產(chǎn)品,那么實(shí)物產(chǎn)品該如何接線到實(shí)際電路中呢?一般來(lái)講整流橋4個(gè)腳位都會(huì)有明顯的極性說(shuō)明,工程設(shè)計(jì)接線圖的時(shí)候已經(jīng)將安裝方式固定下來(lái)了,那么在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中只需要,對(duì)應(yīng)線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種,一個(gè)是實(shí)物產(chǎn)品與電路圖的對(duì)應(yīng)方式。左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,B3作為整流正極輸出,C4作為整流負(fù)極輸出,A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式,
IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
二極管檢測(cè)方法小功率晶體二極管1. 判別正、負(fù)電極(1)觀察外殼上的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào),帶有三角形箭頭的一端為正極,另一端是負(fù)極。??(2)觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼上,通常標(biāo)有極性色點(diǎn)(白色或紅色)。一般標(biāo)有色點(diǎn)的一端即為正極。還有的二極管上標(biāo)有色環(huán),帶色環(huán)的一端則為負(fù)極。?(3)以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn),黑表筆所接的一端為正
可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。可控硅的主要參數(shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未**過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能**
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