非均相成核法制備納米氧化銦錫粉體
- 時間：2019-05-30作者：上海滬正納米科技有限公司瀏覽：123
上海滬正納米科技有限公司專注于功能塑料母粒,功能性薄膜,納米材料等
詞條
詞條說明
SnO2是氧空位產生非化學整比性的寬帶半導體，摻雜F、Sb元素后導電性能能提高幾個數(shù)量級，形成n型半導體。ATO是銻摻雜二氧化錫（antimony doped tin oxide）具有優(yōu)良的電學性質和光學性質。粉末作為抗靜電材料廣泛應用于涂料、化纖、造紙、包裝、建筑材料等方面，顯示出比其他抗靜電材料（石墨、表面活性劑、金屬粉）較大的優(yōu)越性。此外在光電顯示器件，透明電極、太陽能電池、隔熱窗、催化劑領
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