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一文讀懂IGBT模塊特點(diǎn)及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
IGBT的工作原理IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)
本公司長(zhǎng)期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模塊,回收個(gè)人剩余IGBT模塊,回收項(xiàng)目多余IGBT,回收全新IGBT,收購(gòu)全部型號(hào)IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí),必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,故
在使用富士IGBT時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)事項(xiàng):電壓和電流匹配:選擇適當(dāng)?shù)母皇縄GBT型號(hào),確保其額定電壓和額定電流能夠滿足實(shí)際工作條件的需求,并注意不要超過其電壓和電流的極限值。散熱設(shè)計(jì):富士IGBT在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量,因此需要進(jìn)行合適的散熱設(shè)計(jì),確保器件能夠在正常工作溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。選擇合適的散熱材料和散熱器,并正確安裝和調(diào)整散熱系統(tǒng)。靜電防護(hù):富士IGBT是一種敏感的半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電有很高的敏感
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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