芯片手術(shù)芯片開封介紹

時間：2020-04-01作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：146

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• 詞條

  詞條說明

• 芯片分析方法

  1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡） （1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物， （2） 內(nèi)部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設計存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時，插拔時頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進行EMMI測試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判

• 微納加工應用

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導體，數(shù)據(jù)存儲，自然資源等領域 服務內(nèi)容：1.芯片電路修改

• 芯片漏電分析手段被誤導了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認為OBIRCH是一種設備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識。 OBIRCH其實只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過，同時在芯片表面用激光進行掃描。 激光掃描的同時，對微小電流進行監(jiān)測，當激光掃到某個位置，電流發(fā)生較大變化，設備對這個點進行標記，也就是說這個位置即為